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NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

产品货号:ES2011512641180

产品品牌:ON Semiconductor

产品分类:MOSFET,GaNFET - 单

产品描述:MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

环保属性:Lead free / RoHS Compliant 

数据手册: NTJS3151PT2G pdf

最小包装:6000

最小起订:6000

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  • 功能参数
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25 C: 60 毫欧 @ 3.3A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C: 2.7A
Id 时的 Vgs(th)(最大): 400mV @ 100A
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 850pF @ 12V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70-6,SC-88,SOT-363
包装: 带卷 (TR)
库存供货情况
中国:暂无库存
美国:0 片,正常3天可运至香港。
原厂订货:货期预计在8周左右,仅供参考。
定价(人民币不含税)
暂无价格,请致电或点击这里发送邮件询价
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